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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MUN2213JT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2213JT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2213JT1G价格参考。ON SemiconductorMUN2213JT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2213JT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2213JT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2213JT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、Arduino）GPIO输出驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或光耦输入端，实现5V/3.3V逻辑到负载的可靠开关控制。 2. 低功耗开关应用：因具备内置偏置电阻，无需外接基极电阻，适合空间受限的便携设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中作为信号开关或状态指示控制元件。 3. 工业与家电控制：在白色家电（洗衣机、空调控制板）、电源管理模块中，用作风扇控制、状态反馈隔离或小功率负载（<100mA）的通断开关。 4. 替代传统分立BSP（Bias-Supply-Protected）方案：提升生产良率与PCB布局效率，降低BOM成本与贴片工序复杂度。 该器件最大集电极电流IC=100mA，VCEO=50V，hFE典型值为160，采用SOT-23封装，支持无铅回流焊。适用于直流、低频（≤100kHz）开关场景，不推荐用于线性放大或高频射频应用。使用时需注意功耗（Pd≤200mW）及环境温度限制（Tj ≤150°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2213JT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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