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- 型号： MUN2211T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2211T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2211T1价格参考。ON SemiconductorMUN2211T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2211T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2211T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2211T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10kΩ），采用SOT-23封装，具有高集成度、简化外围电路、提升可靠性等优势。 其典型应用场景包括： 🔹 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（如MCU、PIC、STM32）GPIO输出驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗指示灯，无需外接偏置电阻，节省PCB空间并降低BOM成本。 🔹 开关控制电路：在消费电子（如充电器、智能插座）、家电（如风扇调速、面板按键指示）中，作为低压侧开关，实现5V/3.3V信号对负载的通断控制。 🔹 传感器信号调理前端：配合光耦或霍尔传感器，用作信号缓冲或反相开关，增强抗干扰能力。 🔹 电池供电设备：因具备低饱和压降（VCE(sat)典型值0.14V @ IC=10mA）和较小输入驱动电流（IB≈0.3mA），有助于延长便携设备（如遥控器、IoT终端）电池寿命。 该器件不适用于高频放大或大功率开关场合（最大IC=100mA，Ptot=200mW），设计时需注意散热及电流裕量。总体而言，MUN2211T1是面向成本敏感、空间受限、中低速开关应用的理想集成化解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2211T1 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2211T1OSCT |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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