Datasheet下载- 型号： MUN2132T1
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2132T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2132T1价格参考。ON SemiconductorMUN2132T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2132T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2132T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2132T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）IO口驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，无需外接偏置电阻，简化PCB设计，提升可靠性。 2. 开关控制电路：适用于低功耗、中低速开关应用（fₜ≈250MHz），如电源使能（EN）信号控制、负载开关、传感器信号调理前端的有源开关。 3. 工业与消费类电子中的信号缓冲/反相：因内置匹配电阻，可直接连接CMOS/TTL输出，实现电平兼容与电流放大，常见于打印机、家电控制板、IoT终端等。 4. 替代传统分立BJT+电阻方案：节省2个贴片电阻及布线空间，降低BOM成本与装配故障率，适合高密度、小体积设计。 注意：该器件最大集电极电流IC为100mA（连续），VCEO=50V，不适用于大功率或高频模拟放大场景。使用时需确保输入电压在规格范围内（如VIN≤5.5V），并注意热设计与静电防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2132T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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