Datasheet下载- 型号： MUN2130T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2130T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2130T1价格参考。ON SemiconductorMUN2130T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2130T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2130T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2130T1（ON Semiconductor）是一款内置基极-发射极偏置电阻的NPN型数字晶体管（预偏置BJT），常用于简化开关电路设计。其典型应用场景包括： - 微控制器I/O口驱动：因集成47kΩ上拉和47kΩ下拉偏置电阻，可直接由3.3V/5V逻辑电平（如MCU GPIO）驱动，无需外接偏置电阻，节省PCB空间并提升可靠性，适用于LED指示灯、蜂鸣器、小功率继电器等负载的开关控制。 - 电平转换与信号调理：在不同电压域（如3.3V MCU控制5V外围电路）间实现简单单向电平转换或反相缓冲。 - 电源管理辅助电路：用于使能（EN）信号控制、LDO或DC-DC转换器的软启动/关断逻辑，提供确定的导通/截止状态，避免悬空导致误动作。 - 消费电子与工业控制板：广泛应用于打印机、家电控制板、传感器接口模块、IoT终端设备中，作为低成本、高一致性的通用开关元件。 该器件具有SOT-23封装、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25V @ IC=10mA）、高直流电流增益（hFE ≥ 60），且ESD防护能力强（HBM ≥ 4kV），适合大批量、高可靠性要求的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2130T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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