【未分类_MUN2116T1G】封装/厂家_MUN2116T1G中文资料_价格

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型号： MUN2116T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2116T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2116T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2116T1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MUN2116T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2116T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2116T1G是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极与基极-电阻网络（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），无需外部偏置电路，可直接由微控制器IO、逻辑门等低驱动能力信号控制。其典型应用场景包括：  
1. 数字开关/电平转换：用于3.3V/5V MCU GPIO驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等，简化电路设计；  
2. 负载开关：在便携设备中作为低功耗电源通断控制（如背光、传感器供电），关断时漏电流极低（I<100nA）；  
3. 逻辑接口缓冲：兼容TTL/CMOS电平，增强驱动能力，隔离前级数字电路；  
4. 简易反相器：利用其共射结构实现信号反相，适用于简单时序或状态指示电路；  
5. 电池供电设备：SOT-23封装体积小、功耗低，适合空间受限的IoT节点、可穿戴设备及遥控器等。  
该器件具有高直流电流增益（hFE≥160）、快速开关特性（tₒₙ/tₒff约150ns/70ns）及ESD防护（HBM 8kV），广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子（非安全关键系统）中的低成本、高可靠性基础开关场景。

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