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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTW7N80E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTW7N80E价格参考。ON SemiconductorMTW7N80E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTW7N80E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTW7N80E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTW7N80E 是安森美(ON Semiconductor)推出的高压N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-247封装,具有800V耐压、7A连续漏极电流(Tc=25℃)、典型导通电阻Rds(on) ≈ 1.3Ω(Vgs=10V),具备快速开关特性与低栅极电荷(Qg≈45nC),内置体二极管。 其主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的PFC(功率因数校正)电路及主功率开关级,尤其适用于准谐振(QR)或反激式拓扑中需高耐压、中等电流的场合。 ✅ 工业控制与电机驱动:适用于中小功率通用变频器、风机/泵类调速系统中的逆变桥上管或单管斩波电路。 ✅ 太阳能逆变器辅助电源:在光伏微逆变器或组串式逆变器的辅助供电模块中承担高压DC-DC转换功能。 ✅ 电磁炉与感应加热设备:作为谐振变换器中的主开关器件,在高频(数十kHz)下可靠工作。 ✅ UPS与通信电源:用于后备式或在线式UPS的升压/逆变级,满足高可靠性与长期稳定运行需求。 该器件具备良好的雪崩耐量(UIS Rated)和热稳定性,适合硬开关应用;但不推荐用于极高频(>500kHz)或大电流同步整流场景。设计时需注意栅极驱动强度(建议12–15V驱动)、PCB散热布局及过压/过流保护配合。