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- 型号： MTW24N40E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTW24N40E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTW24N40E价格参考。ON SemiconductorMTW24N40E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTW24N40E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTW24N40E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTW24N40E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-247封装，具有400V耐压、24A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为0.185Ω）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： - 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、服务器/通信设备电源模块中，用作主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关，兼顾效率与可靠性。 - 电机驱动：适用于中小功率（≤2kW）工业变频器、泵/风机驱动、电动工具控制器中的H桥或单管驱动电路。 - 照明电子镇流器与LED驱动：在高压LED恒流驱动或高频电子镇流器中承担高频开关功能。 - 不间断电源（UPS）与太阳能逆变器：在DC-AC逆变级或电池侧DC-DC变换中，满足高电压、中等电流及快速开关需求。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定），支持硬开关应用；内置体二极管具有较快反向恢复特性，有助于降低换流损耗。需注意合理设计驱动电路（推荐10–15V栅极驱动电压）与散热措施（TO-247封装需良好PCB铜箔铺铜或散热器）。不适用于高频谐振拓扑（如LLC）等对寄生参数极度敏感场景，亦非汽车级器件（无AEC-Q101认证），故不推荐用于车载主驱系统。
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