【未分类_MTP4N40E】封装/厂家_MTP4N40E中文资料_价格

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型号： MTP4N40E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP4N40E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP4N40E价格参考。ON SemiconductorMTP4N40E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTP4N40E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP4N40E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTP4N40E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，主要参数包括：耐压400V、连续漏极电流4A（Tc=25°C）、Rds(on)典型值为2.5Ω（Vgs=10V），采用TO-220封装，具备良好的开关特性和热稳定性。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源辅助电路等中低功率段的主/同步整流或PFC后级开关；  
- 电机控制：用于小型直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥驱动、风扇/泵类负载的PWM调速控制（功率≤150W）；  
- 照明电子：在智能LED灯镇流器、调光驱动电路中作为高频开关器件；  
- 工业控制：继电器替代、电磁阀驱动、PLC输出模块中的固态开关；  
- 家电应用：微波炉、洗衣机、空调等设备中用于可控硅（TRIAC）替代或隔离式功率控制，提升可靠性与EMI性能。

该器件具备雪崩耐量（UIS）能力，适合存在感性负载或电压尖峰的工况；但需注意散热设计（建议加装散热片），并合理配置栅极驱动电阻以兼顾开关速度与振荡抑制。不推荐用于高频（>100kHz）硬开关或大电流连续导通场景，此时可考虑更低Rds(on)或更优热性能型号。

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