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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MTP1306
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTP1306由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP1306价格参考。ON SemiconductorMTP1306封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTP1306参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP1306 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTP1306 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET（非双极型晶体管），需特别澄清：它不属于双极结型晶体管（BJT）类别，而是场效应晶体管（MOSFET）。因此，将其归类为“晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个”属于分类错误。 MTP1306 采用TO-220封装，典型参数包括：VDS = 60 V，ID（连续）= 80 A，RDS(on) ≈ 5.5 mΩ（@ VGS = 10 V），具备低导通损耗与高电流能力。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换器：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK电路； - 电机驱动：用于中小功率直流电机或步进电机的H桥开关单元； - 电源管理模块：如电池保护板、电子负载、LED恒流驱动的主开关； - 工业控制与UPS系统：作为高频开关器件实现高效能量切换。 因其高效率、快速开关特性及强抗雪崩能力，适用于中等功率、高可靠性要求的开关电源和功率调节场合。用户在选型时应严格依据官方数据手册（如DS-MTP1306-D），并注意驱动电压（推荐10 V以上以确保充分导通）、PCB散热设计及SOA（安全工作区）限制。 ✅ 提示：若需BJT替代方案（如驱动/线性放大用途），可考虑ON Semi的MPSA42（高压NPN）或MJD127（达林顿）等型号。
产品参数
图文手册
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