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  • 型号: MTDF1C02HDR2
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTDF1C02HDR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTDF1C02HDR2价格参考。ON SemiconductorMTDF1C02HDR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTDF1C02HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTDF1C02HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTDF1C02HDR2 是安森美(onsemi)推出的 N 沟道增强型高压 MOSFET,采用 DPAK(TO-252)封装,典型参数:VDSS = 100 V,ID(连续)≈ 1.0 A(TC=25°C),RDS(on) ≈ 1.0 Ω(VGS=10 V),具备低栅极电荷与快速开关特性。

其主要应用场景包括:  
✅ 中小功率DC-DC转换器:如降压(Buck)或反激式(Flyback)电源次级侧同步整流或主开关,适用于适配器、智能电表、IoT设备等对尺寸和效率有要求的场合。  
✅ 电机控制模块:驱动小功率直流电机、步进电机相位开关或风扇调速(如家电、办公设备中的BLDC预驱或H桥低端开关)。  
✅ 负载开关与电源管理:用于板级电源分时上电、热插拔保护、电池供电系统的负载切断(如POS机、便携仪器),利用其低导通电阻和可控关断特性提升能效与可靠性。  
✅ LED驱动电路:作为恒流调节开关或PWM调光MOSFET,适用于中低功率LED照明模块及背光驱动。  

该器件强调高雪崩耐量与鲁棒性,适合存在感性负载或电压瞬变的工业与消费类环境。需注意:实际应用中应合理设计栅极驱动(避免振荡)、添加RC缓冲网络(抑制VDS尖峰),并确保PCB散热设计满足功耗需求(尤其在连续导通工况下)。  

(注:“品牌为-”应为信息缺失,实为 onsemi 品牌;型号后缀“R2”通常表示卷带包装,不影响电气性能。)
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