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- 型号： MTD6N20E1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6N20E1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6N20E1价格参考。ON SemiconductorMTD6N20E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTD6N20E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD6N20E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD6N20E1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，额定参数为：VDS = 200 V，ID（连续）= 6 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值为 0.45 Ω（VGS = 10 V）。其低导通电阻、快速开关特性和紧凑封装，使其适用于中功率、高效率的DC-DC转换与电源管理场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于反激式或降压（Buck）转换器的主开关管，尤其适合24–48 V输入、中等功率（约30–100 W）的工业/通信电源； 2. 电机驱动：在小型直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥/半桥驱动电路中，承担PWM功率开关功能，如电动工具、风扇、泵类控制； 3. LED驱动电源：作为恒流拓扑中的功率开关，用于中功率LED照明系统（如路灯、工矿灯）； 4. 电池管理系统（BMS）保护电路：用作充放电回路的主控MOSFET或过流保护开关； 5. 家电与工业控制：如电磁阀驱动、继电器替代、PLC输出模块等需要可靠、低成本中压开关的场合。 该器件具备100%雪崩能量额定（EAS），增强了系统鲁棒性；符合RoHS标准，支持自动化贴片生产。设计时需注意PCB散热设计（因TO-252热阻较高）及栅极驱动电压（推荐10 V以确保充分导通）。
产品参数
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