图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD2N40ET4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD2N40ET4价格参考。ON SemiconductorMTD2N40ET4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTD2N40ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD2N40ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD2N40ET4 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,额定电压400V,连续漏极电流2A(Tc=25°C),典型导通电阻Rds(on)约3.5Ω(Vgs=10V),具备快速开关特性与内置体二极管。 其主要应用场景包括: 1. 离线式AC-DC电源:常用于反激式(Flyback)或降压式(Buck)转换器的初级侧开关,适用于小功率适配器、充电器及LED驱动电源(<15W); 2. 电机控制:驱动小型直流无刷电机(BLDC)或有刷电机的H桥低边开关,如家电(风扇、水泵)、电动工具辅助电路; 3. LED照明驱动:作为恒流源开关或PWM调光控制器件,用于隔离/非隔离LED驱动模块; 4. 工业控制接口:用于PLC数字输出模块、继电器替代电路或电磁阀驱动等中低压开关应用; 5. 消费电子待机电源:在绿色电源设计中实现低功耗待机模式下的高压侧开关功能。 该器件具有良好的雪崩耐受能力(UIS rated),支持可靠过载保护;TO-252封装兼顾散热性与PCB空间效率,适合高密度贴片设计。需注意:实际使用中应确保栅极驱动电压≥10V以充分导通,并配合合理PCB布局与散热措施(如敷铜面积≥2 cm²)以保障温升在安全范围内。