图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD1P40ET4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD1P40ET4价格参考。ON SemiconductorMTD1P40ET4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTD1P40ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD1P40ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD1P40ET4 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET(注意:并非双极性晶体管BJT,而是功率MOSFET),其分类常被误标为BJT;实际为单N通道?不——该型号明确为P沟道、VDSS = –40V、ID = –1.5A(连续)、TO-252(DPAK)封装的逻辑电平MOSFET。 典型应用场景包括: ✅ 负载开关:用于电源管理中控制外设(如传感器、LED、通信模块)的供电通断,因其低阈值电压(VGS(th) ≈ –1.5V至–2.5V),可直接由3.3V或5V MCU GPIO驱动。 ✅ 反向电压保护(防反接):在电池供电设备(如便携仪器、IoT终端)中,串联于电源输入端,利用P-MOSFET体二极管方向特性实现低成本、低损耗(RDS(on)典型值0.38Ω)的极性保护。 ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流(辅助应用):适用于小功率降压电路中替代肖特基二极管,提升效率(需配合驱动时序)。 ✅ 电机/电磁阀驱动:驱动小型直流电机、继电器线圈等感性负载(需配续流二极管)。 ⚠️ 注意:该器件非BJT,不适用于线性放大或高增益模拟电路;其开关速度快、驱动功耗低,但不具备电流放大功能。选型时需关注SOA(安全工作区)及热设计(TO-252需良好PCB铜箔散热)。 综上,MTD1P40ET4 主要面向中小功率、低压、高能效的开关控制与电源保护场景,常见于工业控制、消费电子、汽车电子(符合AEC-Q101)等嵌入式系统中。