【未分类_MTB75N06HD】封装/厂家_MTB75N06HD中文资料_价格

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型号： MTB75N06HD
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB75N06HD由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB75N06HD价格参考。ON SemiconductorMTB75N06HD封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB75N06HD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB75N06HD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB75N06HD 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有75A连续漏极电流（ID）、60V耐压（VDS）、低导通电阻（RDS(on)典型值仅8.5mΩ @ VGS=10V），并具备高雪崩能量耐受能力与快速开关特性。

其典型应用场景包括：  
- 汽车电子系统：广泛用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子风扇、水泵、座椅调节电机）、LED车灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关；  
- 工业电源与电机控制：适用于中功率开关电源（SMPS）、逆变器、H桥驱动电路及PLC输出模块等需高可靠性与抗扰性的场合；  
- 消费类电源设备：如大功率适配器、UPS、电动工具驱动板等对效率和热管理要求较高的设计。  

该器件通过AEC-Q101汽车级认证，具备优异的高温稳定性（Tj最高175°C）和鲁棒性，特别适合严苛环境下的高负载、高频开关应用。其低RDS(on)可显著降低导通损耗，提升系统能效；而优化的体二极管特性亦有助于减少续流损耗与EMI问题。

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