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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB6N60ET4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB6N60ET4价格参考。ON SemiconductorMTB6N60ET4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB6N60ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB6N60ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB6N60ET4 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 阵列(实际为单管,但部分封装/系列命名含“Array”易混淆;经查证,MTB6N60ET4 为单通道 TO-220F 封装器件,非多芯片阵列,分类中“MOSFET - 阵列”属平台归类误差,应为“MOSFET - 单个”)。其关键参数:600V 耐压、6A 连续漏极电流、典型导通电阻 Rds(on) ≈ 1.2Ω(Vgs=10V),具备快速开关特性与内置ESD保护。 主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的主开关管或PFC升压级; ✅ 电机控制:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)驱动、风扇/泵类家电的H桥上臂开关; ✅ 工业控制:PLC输出模块、继电器替代固态开关、电磁阀驱动等中高压负载切换; ✅ 照明系统:大功率LED恒流调光驱动中的PWM主控开关; ✅ 逆变与UPS:离线式小功率逆变器的DC-AC桥路开关元件(需配合驱动与保护电路)。 注:该器件采用TO-220F绝缘封装,适合直接安装于散热器,兼顾电气隔离与热管理需求,适用于对可靠性及温升敏感的工业与消费类设备。使用时需注意栅极驱动电压(推荐10–15V)、避免雪崩过应力,并建议配置RC缓冲电路以抑制关断电压尖峰。