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  • 型号: MTB52N06VL
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB52N06VL由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB52N06VL价格参考。ON SemiconductorMTB52N06VL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB52N06VL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB52N06VL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB52N06VL 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,属于晶体管类别中的单个 MOSFET。其典型参数包括:VDS = 60 V、ID(连续)≈ 52 A(TC = 25°C)、RDS(on) ≤ 18 mΩ(VGS = 10 V),且支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.5 V),适合 3.3 V/5 V MCU 直接驱动。

该器件主要应用于中高功率开关场景,如:  
- DC-DC 电源转换:在同步整流 Buck 或 Boost 转换器中作主开关或同步整流管,提升效率;  
- 电机驱动:用于中小功率直流无刷(BLDC)或有刷电机的 H 桥下桥臂/上桥臂(配合自举电路),常见于电动工具、风扇、家用电器控制板;  
- 负载开关与电源管理:作为板级电源通断控制(如 USB 供电保护、热插拔电路)、电池保护系统(BMS)中的充放电回路开关;  
- 照明驱动:LED 恒流驱动电路中的 PWM 开关元件,尤其适用于车载 LED 大灯或工业照明模块;  
- 工业控制与自动化:PLC 输出模块、继电器替代方案(固态开关),实现快速、低功耗、长寿命的电子开关功能。

其 TO-263(D²PAK)封装具备良好散热能力,适用于中等功率密度设计;内置体二极管具有较快恢复特性,有助于降低开关损耗。需注意 PCB 散热设计及栅极驱动稳定性,避免 dv/dt 误导通。
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