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  • 型号: MTB4N40ET4
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB4N40ET4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB4N40ET4价格参考。ON SemiconductorMTB4N40ET4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB4N40ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB4N40ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB4N40ET4 是一款 N 沟道增强型高压 MOSFET(400V,4A,Rds(on) 典型值 2.5Ω),采用 TO-220AB 封装(带绝缘片),适用于中功率开关应用。其典型应用场景包括:

- 开关电源(SMPS):作为主开关管或辅助电源中的功率开关,用于 AC-DC 适配器、LED 驱动电源及工业电源的初级侧开关(需配合驱动与保护电路);  
- 电机控制:驱动中小功率直流电机或步进电机的H桥/半桥电路(如风扇、小型泵、电动工具控制模块);  
- LED 照明驱动:在非隔离型降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)恒流驱动电路中作主开关;  
- 逆变器与UPS:用于低至中频(≤50kHz)DC-AC 逆变环节的功率级,如小型后备式 UPS 或太阳能离网控制器;  
- 电感负载开关:如继电器、电磁阀、加热元件等的固态开关,需外置续流二极管与RC缓冲电路以抑制关断电压尖峰。

注意:该器件不具备内置体二极管快速恢复优化,不推荐用于高频谐振拓扑(如LLC)或同步整流;使用时须确保栅极驱动电压(10V–15V)充足,并做好散热设计(TO-220 在自然冷却下建议功耗 ≤2W,加散热器可提升至~15W)。  

(字数:398)
产品参数 图文手册 常见问题
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