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- 型号： MTB3N60ET4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB3N60ET4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB3N60ET4价格参考。ON SemiconductorMTB3N60ET4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTB3N60ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB3N60ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB3N60ET4 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装（型号后缀“T4”通常指卷带包装，但本体为标准TO-220）。其关键参数包括：600V 耐压（VDSS）、3A 连续漏极电流（ID，TC=25°C）、低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.5Ω 典型值），具备快速开关特性和内置体二极管。 该器件主要应用于中低功率、高电压开关场景，典型用途包括： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：如适配器、充电器、LED驱动电源中的主开关管（反激式或准谐振拓扑）； ✅ LED照明驱动电路：用于隔离/非隔离恒流驱动方案的功率开关级； ✅ 小型家电与工业控制：如电磁炉辅助电源、电机驱动中的保护/使能开关、继电器替代电路； ✅ DC-DC转换器：在高压输入（如400V母线）的降压或PFC后级DC-DC中作同步整流或主控开关（需注意电流能力限制）； ✅ EPOS（电子点火系统）及电容放电电路：利用其高压耐受与快速关断特性。 注意事项：因ID额定值较低（3A），不适用于大电流连续工作场合；实际应用中需配合足够散热（如加装散热片），并确保栅极驱动电压稳定（10–15V），避免米勒效应引起的误开通。建议搭配RC缓冲电路以抑制电压尖峰，提升系统可靠性。
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