【未分类_MTB29N15ET4】封装/厂家_MTB29N15ET4中文资料_价格

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型号： MTB29N15ET4
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB29N15ET4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB29N15ET4价格参考。ON SemiconductorMTB29N15ET4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB29N15ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB29N15ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB29N15ET4 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，额定电压150V，连续漏极电流29A（Tc=25℃），低导通电阻（Rds(on)典型值为45mΩ），具备快速开关特性和良好的雪崩耐量。

其典型应用场景包括：  
- 工业电源与开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、服务器/通信电源中的同步整流或主开关管；  
- 电机驱动系统：适用于中小功率直流电机、步进电机或BLDC电机的H桥驱动或PWM调速电路；  
- 照明电子镇流器与LED驱动电源：在高频升压/降压拓扑中作为功率开关，支持高效率恒流控制；  
- 电池管理系统（BMS）与电动工具保护电路：用作充放电路径控制或过流/短路保护开关；  
- 家电与工业控制：如变频空调压缩机驱动、电磁炉功率模块、PLC输出级等需150V耐压及中等电流切换的场合。

该器件具备良好的热稳定性与抗dv/dt能力，适合硬开关和部分软开关应用。设计时需注意PCB散热布局（建议大面积覆铜+散热片），并配合合适栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）以确保充分导通与快速关断，降低开关损耗。

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