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  • 型号: MTB16N25ET4
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB16N25ET4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB16N25ET4价格参考。ON SemiconductorMTB16N25ET4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB16N25ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB16N25ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB16N25ET4 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,额定电压250V、连续漏极电流16A(Tc=25°C),采用TO-220AB封装,具备低导通电阻(Rds(on)典型值0.22Ω)、快速开关特性和良好的雪崩耐受能力。

其典型应用场景包括:  
- 工业电源与开关电源(SMPS):用于AC-DC适配器、服务器/通信电源中的主开关管或同步整流管;  
- 电机控制:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)驱动、步进电机H桥驱动的上/下臂开关;  
- 照明电子镇流器及LED驱动电源:在高频PWM调光电路中作功率开关;  
- 家电控制模块:如空调压缩机驱动、洗衣机主控板中的继电器替代方案(固态开关),实现低噪声、长寿命通断控制;  
- 电池管理系统(BMS)保护电路:用于过流/短路保护的充放电主回路开关(需配合驱动与保护IC使用)。

该器件强调高可靠性与热稳定性,适合中等功率、中频(数十kHz至百kHz级)开关应用。实际设计中需注意栅极驱动电压(推荐10–15V)、PCB散热设计及寄生参数抑制,以充分发挥其性能并确保长期稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
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