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- 型号： MTB10N40ET4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB10N40ET4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB10N40ET4价格参考。ON SemiconductorMTB10N40ET4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTB10N40ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB10N40ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB10N40ET4 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，典型参数：VDS = 400 V，ID（连续）= 10 A，RDS(on) ≈ 0.45 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 该器件主要应用于中等功率、高电压的开关场景，典型用途包括： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源中的主开关管或PFC升压开关； ✅ 电机控制：小型直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥上臂开关（需配合驱动电路及续流保护）； ✅ 照明系统：大功率LED恒流驱动、电子镇流器中的高频斩波开关； ✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代固态开关、电磁阀/加热器的PWM控制； ✅ 消费电子：打印机、复印机等设备中的高压负载切换电路。 其400 V耐压和10 A电流能力兼顾效率与可靠性，TO-220封装便于散热设计，适用于工作频率在数十kHz至100 kHz范围的硬开关应用。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、添加RC缓冲网络抑制电压尖峰，并确保足够散热以维持长期稳定运行。不推荐用于高频谐振（如LLC）或零电压开关（ZVS）等对体二极管反向恢复要求严苛的拓扑。
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