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- 型号： MTA30N06E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTA30N06E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTA30N06E价格参考。ON SemiconductorMTA30N06E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTA30N06E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTA30N06E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTA30N06E 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（逻辑电平驱动），由 MagnaChip（现属 SK hynix）生产，典型参数：VDS = 60V，ID（连续）≈ 30A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 28mΩ（VGS=10V），具备低导通电阻、快速开关特性及内置ESD保护。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率 Buck/Boost 转换器的同步整流或主开关管，如通信设备电源模块、工业电源适配器； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流有刷电机（如电动工具、风扇、泵类）的H桥或单边驱动电路，支持逻辑电平（3.3V/5V）直接驱动，简化栅极驱动设计； ✅ LED照明驱动：作为恒流调光开关或PWM调光MOSFET，用于智能LED驱动器或路灯电源； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护回路中的充放电控制开关（如过流/短路保护切断）； ✅ 嵌入式系统与工控设备：在PLC输出模块、继电器替代电路、负载开关等场景中实现高效、可靠的电子开关功能。 该器件采用 TO-220 封装，散热性能良好，适用于环境温度较高、需稳定持续导通的中等功率场合。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、匹配散热器，并留足电压/电流裕量以保障长期可靠性。
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