【未分类_MTA2N60E】封装/厂家_MTA2N60E中文资料_价格

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型号： MTA2N60E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTA2N60E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTA2N60E价格参考。ON SemiconductorMTA2N60E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTA2N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTA2N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTA2N60E 是一款由 MagnaChip（现属 SK Hynix）生产的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，额定电压 600V，典型连续漏极电流 2A（Tc=25℃），采用 TO-220F 封装。其低导通电阻（Rds(on) ≈ 3.8Ω）、快速开关特性和内置体二极管，使其适用于中低功率、高效率的开关电源场景。

主要应用场景包括：  
1. 小功率开关电源（SMPS）：如适配器、充电器、LED 驱动电源中的主开关管（反激式拓扑），在 10–30W 功率范围内具备良好性价比与可靠性；  
2. LED 照明驱动：用于隔离/非隔离恒流驱动电路，支持调光兼容性设计；  
3. 家电控制电路：如微波炉、电磁炉、洗衣机等设备中的继电器替代或电机启停控制；  
4. 工业辅助电源与待机电源：为控制板提供稳定低压供电，满足能效标准（如 Energy Star、ERP）；  
5. DC-DC 转换模块：在低压输入升压或隔离 DC-DC 中作同步整流或主开关（需注意驱动电压匹配）。

该器件不适用于大电流（>3A）或高频（>100kHz）连续满载工况，建议工作结温 ≤125℃，并配合合理散热设计。其“E”后缀表明符合 RoHS 与无卤素要求，适合出口类消费电子应用。

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