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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的型号为 MT8VDDT6464HDY-335F2 的产品属于存储器模块类别,具体是一款高密度、高性能的 DRAM 模块。该模块通常用于工业级、通信设备或嵌入式系统中,适用于对数据处理速度和稳定性有较高要求的场景。 该模块具备较大的存储容量,支持高带宽数据传输,适用于网络设备(如交换机、路由器)、服务器、工业控制设备、测试仪器、边缘计算设备等。此外,它也可用于高端消费电子产品、汽车电子系统及智能安防设备中,以满足复杂运算和多任务处理的需求。 由于其可靠性和兼容性设计,MT8VDDT6464HDY-335F2 能够适应较宽的工作温度范围,适合在较为严苛的环境中稳定运行。这使其成为通信基础设施和自动化控制系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡,模块 |
| 描述 | MODULE DDR 512MB 200-SODIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT8VDDT6464HDY-335F2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 其它名称 | 557-1294 |
| 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 封装/外壳 | 200-SODIMM |
| 标准包装 | 100 |
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| 速度 | 167MHz |