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  • 型号: MT4VDDT3264HY-335F2
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT4VDDT3264HY-335F2由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT4VDDT3264HY-335F2价格参考。Micron Technology IncMT4VDDT3264HY-335F2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT4VDDT3264HY-335F2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT4VDDT3264HY-335F2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

品牌为“-”(通常表示无特定品牌或通用型号)、分类为存储器-模块、型号为MT4VDDT3264HY-335F2的器件,是一款DDR3 SDRAM内存模块。该型号常见于工业级或嵌入式应用环境,具有32M x 64位(即2GB)容量,工作电压为1.5V,支持DDR3标准,数据传输速率为333MHz(等效频率667Mbps),时序参数为CL=5,符合JEDEC标准规范。

其主要应用场景包括工业自动化设备、网络通信设备(如路由器、交换机)、嵌入式控制系统、医疗电子设备以及车载信息终端等对稳定性与持久性要求较高的领域。由于具备较强的温度适应性和抗干扰能力,该模块适用于宽温工作环境(如-40°C至+85°C),可在恶劣工业环境中可靠运行。

此外,该内存模块也常用于需要长期供货和高可靠性的专用设备中,例如电力监控系统、智能交通控制单元和军工类电子产品。因其非消费级定位,较少用于普通台式机或笔记本电脑。总体而言,MT4VDDT3264HY-335F2是一款面向工业及专业领域的稳定型DDR3内存解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

存储卡,模块

描述

MODULE DDR 256MB 200-SODIMM

产品分类

存储器 - 模块

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MT4VDDT3264HY-335F2

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

其它名称

557-1231
MT4VDDT3264HY-335F2-ND

存储器类型

DDR SDRAM

存储容量

256MB

封装/外壳

200-SODIMM

标准包装

100

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速度

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