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产品简介:
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MT4JSF6464HY-1G4B1是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR4内存模块,属于存储器-模块类别。该型号为8GB容量、64位宽、工作频率2400MT/s的UDIMM(无缓冲双列直插内存模块),采用260-pin设计,符合PC4-19200规范,主要面向工业级和嵌入式应用场景。 该内存模块适用于对稳定性与可靠性要求较高的工业自动化设备、网络通信设备(如路由器、交换机)、医疗仪器、车载系统以及工控机(IPC)等环境。其宽温设计(通常支持-40°C至+85°C)使其能在严苛温度条件下稳定运行,适合户外或恶劣工业现场使用。同时,该模块具备低功耗特性,有助于提升系统能效,适用于注重节能的边缘计算设备和长期运行的嵌入式系统。 此外,MT4JSF6464HY-1G4B1常用于需要长时间不间断工作的场景,如监控系统、数据采集终端和智能交通控制系统等。由于美光原厂品质保障,该模块在兼容性、抗干扰能力和耐用性方面表现优异,广泛应用于对数据完整性要求较高的关键任务系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡,模块 |
| 描述 | MOD DDR3 SDRAM 512MB 204-SODIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT4JSF6464HY-1G4B1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 512MB |
| 封装/外壳 | 204-SODIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 1333MT/s |