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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-25E:B 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要面向工业级和高端应用领域。该型号具备较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于对稳定性、速度和可靠性有较高要求的场景。 其典型应用场景包括: 1. 通信设备:如路由器、交换机等网络基础设施设备,用于高速缓存和临时数据存储,保障数据快速转发与处理。 2. 工业自动化系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机中使用,支持复杂控制任务的数据处理和运行。 3. 嵌入式系统:应用于医疗设备、测试仪器、安防监控设备等需要高可靠性和持续运行能力的嵌入式平台。 4. 汽车电子:在车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)中提供稳定的数据存储支持。 5. 服务器与存储设备:作为缓存或主存使用于边缘计算服务器或存储解决方案中,提升系统响应速度和处理效率。 该产品具有宽温工作范围和较强的抗干扰能力,适合在较为严苛的环境中长期运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS 144UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-25E:B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 散装 |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |