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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT47H512M4EB-25E:C 是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高性能计算和网络设备中。该型号属于GDDR5 SDRAM类别,具有高带宽和低延迟的特点,适用于需要快速数据处理的场景。 其主要应用场景包括: 1. 图形处理与显卡:该存储器广泛应用于高性能显卡和图形处理单元(GPU),为游戏、3D渲染、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)提供高速图形数据存储与访问能力。 2. 网络设备:在高端路由器、交换机和通信基础设施中,该型号用于缓存和处理大量网络数据流,保障数据传输的高效与稳定。 3. 工业控制与嵌入式系统:适用于需要高可靠性和高性能的工业自动化控制系统、嵌入式设备和视频监控系统。 4. 人工智能与边缘计算:在AI加速器和边缘计算设备中,用于支持实时数据推理与处理,满足低延迟和高吞吐量需求。 该存储器采用BGA封装,适用于紧凑型高密度电路设计,适合对空间和性能都有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H512M4EB-25E:C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA(9x11.5) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G(512M x 4) |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 2.5ns |