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产品简介:
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品牌为美光科技(Micron Technology Inc.)的存储器产品,型号为MT47H256M8THN-3:H,是一款DRAM芯片,常用于高性能计算和嵌入式系统中。其主要应用场景包括: 1. 工业控制设备:适用于需要高速数据处理和大内存容量的工业自动化设备、PLC控制器等。 2. 通信设备:广泛应用于路由器、交换机、基站等通信基础设施,以支持高速数据传输与缓存。 3. 网络设备:用于网络接入设备、边缘计算设备,提升数据处理效率与响应速度。 4. 汽车电子:在车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)中提供稳定的数据存储与快速访问能力。 5. 消费类电子产品:如高端平板电脑、智能电视、游戏设备等,满足对内存性能要求较高的应用需求。 该产品具有高密度、低功耗、高可靠性等特点,适合在复杂环境下稳定运行,是各类高性能系统中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H256M8THN-3:H |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-FBGA(8x10) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G(256M x 8) |
| 封装/外壳 | 63-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3ns |