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产品简介:
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品牌为美光科技(Micron Technology Inc.)的存储器产品,型号MT46V64M8BN-6:D,是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要面向高性能计算和嵌入式系统应用。 该型号属于DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器),具备较大的存储容量与较高的数据传输速率,适用于需要快速数据处理的场景。其典型应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器、交换机等通信基础设施,用于高速缓存转发数据包,提升网络吞吐能力; 2. 工业控制设备:用于PLC、工业计算机等设备中,支持复杂运算和实时数据处理; 3. 消费类电子产品:如高端平板电脑、智能电视或机顶盒,用于提升系统运行速度和多任务处理能力; 4. 汽车电子系统:例如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),要求高稳定性和高性能内存支持; 5. 边缘计算设备:在边缘服务器或AI加速卡中作为临时数据缓存,提高响应速度和处理效率。 该芯片采用BGA封装,具有良好的电气性能和散热特性,适合在严苛环境下稳定工作,广泛应用于对可靠性要求较高的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46V64M8BN-6:D |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 60-FBGA(10x12.5) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 512M(64M x 8) |
封装/外壳 | 60-TFBGA |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
速度 | 6ns |