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产品简介:
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MT46V64M4TG-6T:G TR是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款SDRAM存储器,属于DDR SDRAM类别,容量为256Mb(64Meg x 4),采用TSOP封装,工作电压为3.3V,存取速度为6ns。该型号主要用于对成本敏感且需要稳定性能的中低端电子设备中。 典型应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制设备(如PLC、HMI)、消费类电子产品(如DVD播放器、机顶盒、打印机)以及嵌入式系统等。由于其工业级温度范围和可靠的性能表现,也适用于一些工业自动化和监控系统。 该存储器适用于需要中等带宽、持续数据读写的场景,不适用于高性能计算或图形处理等高负载应用。因其已逐步被更先进的DDR2/DDR3等产品替代,目前多用于维护现有产品线或对元器件生命周期要求较长的项目中。 总体而言,MT46V64M4TG-6T:G TR是一款成熟稳定的存储解决方案,适合在工业与消费类设备中实现基础数据缓存与运行支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 66TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46V64M4TG-6T:G TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 66-TSOP |
其它名称 | 557-1034-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 256M(64Mx4) |
封装/外壳 | 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
速度 | 6ns |