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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT46V16M16CY-5B AAT:M TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速数据处理和大容量内存的电子设备中。 该型号的具体应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器、交换机等通信基础设施,用于高速缓存和临时数据存储,保障数据包的快速转发与处理。 2. 工业控制设备:在工业自动化系统中,用于支持实时数据采集与处理,提升系统响应速度与稳定性。 3. 嵌入式系统:例如医疗设备、安防监控设备、智能终端等,为系统提供可靠的运行内存支持。 4. 消费类电子产品:如高端平板电脑、智能电视或机顶盒,用于提升图形处理能力和多任务运行效率。 5. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS),满足对高性能与高可靠性的需求。 该芯片具有较高的存储密度与访问速度,适用于对性能与稳定性要求较高的场景。其封装形式和电气特性也适配多种主板设计需求,便于集成于各类复杂系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 60FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46V16M16CY-5B AAT:M TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 60-FBGA(8x12.5) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 256M (16M x 16) |
封装/外壳 | 60-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 105°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.5 V ~ 2.7 V |
速度 | 5ns |