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产品简介:
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Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号 MT41J256M8DA-125:K TR 是一款 DDR3L SDRAM(低电压双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)。以下是其主要应用场景: 1. 服务器与数据中心 - 该型号的 DDR3L SDRAM 适用于高性能服务器和数据中心,提供快速的数据处理能力和高带宽支持。 - 其低电压特性(1.35V)有助于降低功耗,满足数据中心对能效的需求。 2. 网络设备 - 在路由器、交换机和其他网络设备中,这种存储器用于缓存和处理大量数据包,确保高效的网络通信。 - 其稳定性与可靠性使其适合长时间运行的网络基础设施。 3. 嵌入式系统 - 嵌入式设备(如工业控制、医疗设备和自动化系统)需要可靠的存储解决方案。该型号的 DDR3L 提供了足够的性能和耐用性。 - 适用于需要实时数据处理的应用场景。 4. 消费电子产品 - 高端电视、机顶盒、游戏机等消费电子产品可能使用此型号存储器来支持复杂的图形处理和多媒体功能。 - 其低功耗设计延长了电池驱动设备的续航时间。 5. 汽车电子 - 在现代汽车中,信息娱乐系统、导航系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)需要高性能存储器。该型号能够满足这些需求。 - 工作温度范围较广,适应汽车环境中的各种条件。 6. 物联网(IoT)设备 - 物联网设备需要高效的数据处理能力,同时要求低功耗。DDR3L 存储器是理想选择。 - 支持多任务处理和大数据传输,适用于智能家居、智慧城市等领域。 技术特点: - 容量:2GB(单颗芯片为 256Mb x 8) - 数据速率:最高可达 1600 MT/s - 工作电压:1.35V(低功耗) - 封装形式:FBGA(细间距球栅阵列) 总结来说,MT41J256M8DA-125:K TR 主要应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的领域,包括服务器、网络设备、嵌入式系统、消费电子、汽车电子和物联网设备等。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR3 SDRAM 2GBIT 800MHZ FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT41J256M8DA-125:K TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 78-FBGA(8x10.5) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR3 SDRAM |
存储容量 | 2G(256M x 8) |
封装/外壳 | 78-TFBGA |
工作温度 | 0°C ~ 95°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
速度 | 800MHz |