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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT41J1G4THD-15E:D 是一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。 该型号属于DDR4 SDRAM,具有1GB容量,采用高性能、低功耗设计,适用于服务器、工作站和高端计算设备。其高稳定性和可靠性使其广泛应用于数据中心、云计算、虚拟化环境以及企业级存储系统中。此外,该内存模块也适用于高性能计算(HPC)、人工智能训练和推理、网络设备以及工业自动化系统等对内存性能要求较高的领域。 由于其ECC(错误校正码)功能和高带宽特性,MT41J1G4THD-15E:D 能够有效提升系统稳定性,减少数据错误,保障关键任务系统的持续运行。因此,它也常用于金融、医疗、通信等对数据完整性要求极高的行业场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 667MHZ 78BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41J1G4THD-15E:D |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA(9x11.5) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4G(1G x 4) |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 速度 | 667MHz |