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产品简介:
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Micron Technology Inc.(美光科技)的存储器模块型号MT16KTF51264HZ-1G6M1属于DRAM(动态随机存取存储器)类别,具体为DDR3类型的内存模块。以下是该型号的主要应用场景: 1. 服务器与数据中心 - DDR3内存广泛应用于服务器和数据中心,提供高带宽和低延迟的数据处理能力。 - MT16KTF51264HZ-1G6M1适用于需要高效数据交换的环境,例如云计算、虚拟化技术以及大规模数据分析。 2. 高性能计算 (HPC) - 在科学计算、工程仿真和人工智能训练等高性能计算领域,该模块能够支持快速的数据读写需求。 - 其稳定性和可靠性确保复杂计算任务的顺利执行。 3. 网络设备 - 网络路由器、交换机和其他通信设备需要高效的内存管理来处理大量数据流。 - 此型号可以满足这些设备对速度和容量的要求。 4. 嵌入式系统 - 嵌入式工业控制设备、医疗成像仪器及自动化系统可能采用此类内存以实现快速响应和实时数据处理。 - 它在苛刻的工作环境下表现出良好的稳定性。 5. 个人计算机与工作站 - 尽管DDR3技术逐渐被更先进的DDR4和DDR5取代,但在一些老旧或经济型PC及工作站中,这种内存仍然适用。 - 它为图形设计、视频编辑和其他专业应用提供了足够的性能支持。 总结来说,MT16KTF51264HZ-1G6M1适合需要高效数据传输和处理的各种场景,从企业级基础设施到特定领域的嵌入式解决方案均有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 存储卡,模块 |
描述 | MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SODIMM |
产品分类 | 存储器 - 模块 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT16KTF51264HZ-1G6M1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
存储器类型 | DDR3 SDRAM |
存储容量 | 4GB |
封装/外壳 | 204-SODIMM |
标准包装 | 100 |
速度 | 1600MT/s |