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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MT12AT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT12AT1G价格参考。ON SemiconductorMT12AT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT12AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT12AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MT12AT1G是一款表面贴装型(SOD-123封装)瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),额定反向关断电压(Vrwm)为12 V,击穿电压(Vbr)典型值约13.3 V,峰值脉冲功率(PPPM)为400 W(10/1000 μs波形),钳位电压(Vc)在峰值脉冲电流(Ipp=33.3 A)下约为19.9 V。 其主要应用场景包括: - 汽车电子系统保护:符合AEC-Q101车规认证,适用于车载信息娱乐系统、CAN/LIN总线接口、传感器模块(如温度、压力传感器)等,抵御ISO 7637-2标准规定的抛负载(Load Dump)、开关瞬变及静电放电(ESD)冲击; - 工业控制接口防护:用于PLC输入/输出端口、RS-485/RS-232通信线路、电源输入级,防止雷击感应浪涌或感性负载切换引起的瞬态过压; - 消费类设备电源与信号线保护:如机顶盒、智能电视、安防摄像头的12 V直流供电输入端或USB/HDMI接口侧的二级ESD防护(常与前端保险丝/PTC配合使用); - 低功耗嵌入式系统:因低漏电流(Ir < 1 μA @ 12 V)和快速响应时间(<1 ns),适合MCU、FPGA等敏感IC的I/O引脚或稳压器输入端的精密过压钳位。 该器件设计紧凑、可靠性高,适用于需兼顾成本、空间与车规级鲁棒性的中低压直流电路瞬态保护场景。