Datasheet下载- 型号： MSMBJ2K4.5E3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMBJ2K4.5E3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMBJ2K4.5E3价格参考。MICRO-SEMIMSMBJ2K4.5E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSMBJ2K4.5E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSMBJ2K4.5E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的MSMBJ2K4.5E3是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），属于高功率表面贴装TVS系列。该器件主要用于保护敏感电子设备免受瞬态过电压损害，如静电放电（ESD）、雷击感应、电感负载切换等引起的浪涌脉冲。 MSMBJ2K4.5E3的反向击穿电压约为5V，最大钳位电压约7.6V，能承受高达2000W的峰值脉冲功率（8/20μs波形），适用于直流或低频信号线路的过压保护。其主要应用场景包括： 1. 通信设备：用于以太网端口、RS-485、USB接口等数据线保护，防止ESD和瞬态干扰。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器、现场总线等模块中提供电源与信号线保护。 3. 消费类电子产品：应用于电视、机顶盒、智能家居设备中的电源输入端和接口电路。 4. 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、ECU模块等非动力系统的低压电路防护（需符合AEC-Q101标准考量）。 5. 电源管理单元：保护DC电源输入端，防止反接或外部浪涌损坏后级电路。 该器件采用SMC封装，体积小、响应速度快（皮秒级），适合空间受限且对可靠性要求较高的应用环境。由于其单向抑制特性，常用于正极性供电系统的保护。总体而言，MSMBJ2K4.5E3广泛适用于需要高效、紧凑型过压保护解决方案的工业、通信与消费类电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10012-msc0977-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSMBJ2K4.5E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBJ（DO-214AA） |
| 其它名称 | 1086-8086 |
| 功率-峰值脉冲 | 2000W （2kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 4.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 6.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 10A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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