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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMBJ18AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMBJ18AE3价格参考。MICRO-SEMIMSMBJ18AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSMBJ18AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSMBJ18AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的MSMBJ18AE3是一款表面贴装的瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。 应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网、USB、HDMI等高速数据线路,防止因静电或雷击引起的电压浪涌损坏接口电路。 2. 工业控制系统:在PLC、传感器和工业计算机中,用于保护敏感的控制和通信线路免受电磁干扰和静电影响。 3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,用于保护充电口、数据接口和显示模块。 4. 汽车电子系统:用于车载娱乐系统、CAN总线接口和传感器模块,提升系统在复杂电磁环境下的稳定性与可靠性。 5. 电源管理电路:在电源适配器、DC-DC转换器中作为过压保护器件,防止输入端的瞬态高压损坏后级电路。 MSMBJ18AE3具备低钳位电压、响应速度快、可靠性高等特点,适用于需要对低压电路进行高效瞬态保护的设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | MSMBJ18AE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | - |
供应商器件封装 | SMBJ(DO-214AA) |
其它名称 | 1086-8056 |
功率-峰值脉冲 | 600W |
包装 | 散装 |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 20V |
电压-反向关态(典型值) | 18V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 29.2V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 20.5A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |