Datasheet下载- 型号： MSM51V18165F-60T3
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MSM51V18165F-60T3产品简介：
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MSM51V18165F-60T3是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM），属于高速CMOS类型，容量为1Mb（128K × 8位或64K × 16位），工作电压为5V，存取时间为60纳秒。该型号存储器主要应用于需要中等容量、较高性能且对成本敏感的嵌入式系统和工业控制设备。 典型应用场景包括：工业自动化控制系统中的数据缓存与临时存储，如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）设备；老式或传统通信设备中的帧缓冲和协议处理单元；医疗仪器中用于实时数据采集与处理的中间存储；以及部分消费类电子产品，如多功能打印机、传真机和早期多媒体终端设备。 由于其采用标准并行接口，兼容性强，适合与多种微处理器或DSP协同工作，尤其适用于不追求大容量但要求稳定性和可靠性的工业环境。此外，该器件工作温度范围较宽（通常为0°C至70°C或扩展工业级），增强了在复杂环境下的适应能力。 尽管当前市场主流已向更高速、低功耗的SDRAM或嵌入式闪存发展，MSM51V18165F-60T3仍因其成熟稳定、供货周期长，在一些维护升级项目或特定行业设备中继续使用。总体而言，它是一款面向工业与通信领域的经典异步DRAM解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSM51V18165F-60T3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | MSM51V18165F-60T3K-7 |
| 包装 | - |
| 存储器类型 | DRAM |
| 存储容量 | 16M （1M x 16） |
| 封装/外壳 | - |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,170 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 60ns |
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