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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MSKD200-18
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSKD200-18由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSKD200-18价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MSKD200-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSKD200-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSKD200-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSKD200-18 是一款由 Microsemi（现属 Microchip）生产的高压、大电流双二极管整流器模块，属于“二极管 - 整流器 - 阵列”类别。其典型参数包括：反向重复峰值电压 VRRM = 1800 V，平均整流输出电流 IO(AV) = 200 A（带散热器、Tc=85°C），采用模块化封装（如SOT-227B），内置两个共阴极或共阳极配置的快恢复/标准整流二极管（具体依版本而定，常见为双共阴极结构）。 主要应用场景包括： 1. 工业中频/高频感应加热电源：作为主整流桥后级或逆变器续流单元，承受高di/dt与浪涌电流； 2. 大功率直流电源系统：如电镀、电解、牵引充电等场合的AC-DC整流环节； 3. UPS及变频驱动（VFD）前端整流器：用于三相全波整流桥臂，配合IGBT逆变级工作； 4. 新能源领域：光伏逆变器、风电变流器中的Boost升压或旁路保护整流回路； 5. 高压直流输电（HVDC）辅助电源或缓冲整流模块（限于子系统级应用）。 该器件强调高可靠性、低正向压降（约1.8–2.2 V）和优异热稳定性，适用于严苛工业环境（-40℃~+125℃结温），需强制风冷或水冷散热。注意：实际应用中须严格遵循Microchip官方数据手册进行驱动、布局与保护设计（如RC吸收、均流匹配）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOD DIODE GPP 1800V 200A D2 |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 模块 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/123889-mskd200-msad200-mscd200-rev2-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSKD200-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.3V @ 300A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 9mA @ 1800V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 1800V（1.8kV） |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
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