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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD601-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD601-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSD601-RT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSD601-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD601-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MSD601-RT1G的晶体管由品牌ON Semiconductor(安森美半导体)生产,属于双极型晶体管(BJT)中的NPN类型。该晶体管常用于中功率开关和放大电路中。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器或负载开关,控制电源通断,适用于便携式设备和电源管理系统。 2. 马达驱动与继电器控制:由于具备一定的电流放大能力和开关速度,适合用于小型电机、继电器或电磁阀的驱动电路。 3. 工业控制设备:在工业自动化系统中作为开关元件,控制传感器、执行器或指示灯等外围设备。 4. 音频放大电路:作为前置放大或驱动级使用于低频音频设备中,如小功率音响系统。 5. 数字逻辑接口:在微控制器或数字电路与高电流负载之间起到接口作用,实现信号放大与隔离。 该晶体管采用SOT-223封装,具有良好的热稳定性和较高的可靠性,适用于表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS GP NPN 100MA 50V SC59两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD601-RT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSD601-RT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 210 @ 2mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MSD601-RT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 340 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 210 |
| 系列 | MSD601-R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |