Datasheet下载- 型号： MSC2295-CT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSC2295-CT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSC2295-CT1价格参考。ON SemiconductorMSC2295-CT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSC2295-CT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSC2295-CT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSC2295-CT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），采用SOT-23表面贴装封装，专为高频、中功率射频放大应用优化。其典型工作频率可达1.0 GHz（fₜ ≈ 7 GHz），具备高增益（在900 MHz下典型Gₚ达15 dB）、良好线性度和高效率特性。 主要应用场景包括： • 蜂窝通信前端模块：适用于GSM/EDGE基站收发器、小型蜂窝（Small Cell）及直放站中的驱动级或末级射频功率放大； • ISM频段设备：广泛用于433 MHz、868 MHz、915 MHz等工业、科学与医疗频段的无线模块，如智能电表、远程抄表系统、无线传感器网络（WSN）； • 短距离无线通信：支持Z-Wave、Sub-GHz LoRa节点等低功耗广域网（LPWAN）终端的射频发射链路； • 汽车电子：应用于无钥匙进入（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等车载射频发射单元； • 消费类无线设备：如无线音频发射器、遥控器、玩具等对成本与尺寸敏感的中低功率射频应用。 该器件支持单电源供电（典型VCE = 5–12 V），内置射极电阻便于偏置稳定，且具备良好的ESD防护能力（HBM ≥ 2 kV），适合高可靠性、大批量生产的嵌入式射频设计。需配合匹配网络以实现最佳阻抗匹配与输出功率（P₁dB约0.5 W @ 900 MHz）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSC2295-CT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 1mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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