Datasheet下载- 型号： MRFG35020AR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35020AR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35020AR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35020AR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35020AR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35020AR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35020AR1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（实际为增强型场效应晶体管，常归类于射频MOSFET范畴），工作频率高达2.5 GHz，典型用于2.4–2.5 GHz频段。其主要应用场景包括： - Wi-Fi 无线通信系统：广泛应用于802.11b/g/n/ac的2.4 GHz射频前端功率放大器（PA），提升路由器、接入点（AP）、网关及客户端设备的发射功率与覆盖范围； - ISM频段工业设备：如无线传感器网络、智能电表、RFID读写器等需2.4 GHz高效率、小尺寸射频功放的物联网终端； - 短距离无线应用：蓝牙增强型音频设备、Zigbee网关及专网通信模块中的末级功率放大级； - 通用射频测试与开发平台：因具备高增益（典型17 dB @ 2.45 GHz）、高效率（典型65% @ P1dB）及良好线性度，常被用于射频评估板和参考设计中。 该器件采用SOT-89封装，集成ESD保护，支持单电源偏置（Vds=28 V, Vgs可调），适合中等功率（输出约2 W连续波）且对尺寸与热性能有要求的应用。不适用于5G Sub-6 GHz或毫米波等更高频段，亦非普通开关/电源类MOSFET，不可用于DC-DC转换或电机驱动等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35020AR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | NI-360 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 3.5GHz |
| 额定电流 | - |
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