Datasheet下载- 型号： MRFG35010R1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010R1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010R1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010R1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010R1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010R1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35010R1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（实际为增强型场效应晶体管，常归类于射频MOSFET范畴），工作频率高达2.7 GHz，典型用于2.4–2.5 GHz ISM频段及Wi-Fi 802.11b/g/n应用。其主要应用场景包括： 1. 无线通信前端模块：作为2.4 GHz Wi-Fi路由器、AP（接入点）、客户端设备（如网卡、USB适配器）中的末级功率放大器（PA），提供高增益（约14 dB）、高效率（典型PAE >35%）和优异线性度； 2. 工业与物联网设备：用于Zigbee、Thread、专网无线模块等低功耗、中等功率（输出P1dB约29 dBm/800 mW）的ISM频段发射链路； 3. 射频测试与开发平台：因封装紧凑（SOT-89）、匹配简单、稳定性好，常被用作评估板和参考设计中的射频PA核心器件，便于快速原型验证。 该器件不适用于5G Sub-6GHz或毫米波等更高频段，亦非通用开关/电源管理用途——其设计严格聚焦于2.4–2.5 GHz窄带高效率射频功率放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010R1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360HF |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | NI-360HF |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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