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- 型号： MRFG35010AR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010AR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010AR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010AR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010AR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010AR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35010AR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 LTE、WCDMA、WiMAX 等主流蜂窝频段），输出功率可达约 10 W（连续波，CW），具备高增益（典型值 >17 dB）和高功率附加效率（PAE >60%）。 主要应用场景包括： - 4G/5G 基站射频功放模块：用于小型基站（Small Cell）、微基站及分布式天线系统（DAS）中的末级或驱动级放大器； - 无线通信基础设施：如中继器、直放站、室内覆盖系统等对尺寸、效率与热稳定性要求较高的场景； - ISM 频段工业设备：在 2.4 GHz ISM 频段用于 RFID 读写器、医疗射频设备、工业加热控制等； - 宽带射频测试仪器：作为信号源或功率放大组件，适用于矢量网络分析仪（VNA）配套激励模块等。 该器件采用紧凑型 SO-8 封装（带裸焊盘），集成优化的输入/输出匹配网络，简化 PCB 设计；具备良好的热稳定性和可靠性，支持 Class AB 或 Class A 操作模式，并兼容标准 FR4 印制板工艺。适用于需兼顾性能、成本与量产可行性的中功率射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010AR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360HF |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | NI-360HF |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 140mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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