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- 型号： MRFG35003N6T1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003N6T1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003N6T1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003N6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35003N6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003N6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35003N6T1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计，典型应用包括 Wi-Fi 6/6E（802.11ax）接入点、企业级无线路由器、小型基站（Small Cell）及物联网网关等高效率、高线性度射频功率放大场景。该器件采用紧凑型 6-pin SOT-1212 封装，集成内置匹配网络与ESD保护，支持单端宽带匹配，简化PCB布局；典型工作条件下（2.45 GHz，VDD = 28 V），可提供约 3 W（35 dBm）输出功率，PAE（功率附加效率）达 35% 以上，具备优异的增益（约 15 dB）和线性度（低ACPR），满足OFDM/Wi-Fi信号严苛的调制精度要求。适用于需兼顾散热性能、尺寸限制与能效比的中功率Wi-Fi前端模块（FEM）设计，常见于多天线（MIMO）、高密度部署的室内覆盖设备中。不适用于蜂窝通信（如5G Sub-6 GHz基站主功放）或大功率广播发射等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35003N6T1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 9dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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