| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35002N6AT1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35002N6AT1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35002N6AT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRFG35002N6AT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRFG35002N6AT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35002N6AT1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 MOSFET(LDMOS 工艺),专为 2.4–2.5 GHz 频段设计,典型增益约 14 dB,输出功率达 2 W(连续波),效率高、热稳定性好。其主要应用场景包括: - Wi-Fi 无线通信设备:广泛用于 802.11b/g/n/ac 的 2.4 GHz 射频功率放大器(PA)模块,如家用/企业级无线路由器、接入点(AP)、中继器等,提供可靠覆盖与抗干扰能力。 - 工业物联网(IIoT)与智能终端:适用于需远距离、稳定无线连接的工业网关、传感器节点及无线视频传输设备。 - 短距无线系统:支持 Zigbee、Thread 及部分蓝牙增强型应用中的射频前端放大需求(在兼容频段内)。 - 测试与开发平台:因封装为紧凑型 SOT-1209(2×2 mm² DFN),易于集成于评估板和原型设计中,常用于射频电路验证与教学实验。 该器件不适用于蜂窝基站或雷达等高功率/宽频段场景,但凭借小尺寸、高效率和良好线性度,在中低功率、2.4 GHz ISM 频段民用无线产品中具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35002N6AT1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 65mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 1.7A |