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- 型号： MRFE6S9205HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9205HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9205HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9205HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9205HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9205HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9205HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高频通信应用设计。其典型工作频率范围为1.8–2.0 GHz（支持ISM、WCDMA、LTE及5G Sub-6 GHz频段），额定输出功率达200 W（连续波），具备高增益（约17 dB）、高效率（典型PAE >65%）和优异热稳定性。 主要应用场景包括： 🔹 基站射频功率放大器：广泛用于4G LTE与5G宏基站、微基站的末级功放（PA）模块，尤其适用于2.0 GHz频段的多载波宽带信号放大； 🔹 工业与医疗射频源：如MRI射频激励系统、等离子体发生器、RF加热设备等需稳定高功率射频输出的场景； 🔹 无线通信测试设备：作为信号发生器或功率放大模块的核心器件，支持高线性度与宽动态范围； 🔹 广播与雷达系统：适用于UHF频段固态发射机及小型相控阵雷达TR组件中的高可靠性射频功放级。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），集成ESD保护与优化的热设计，支持风冷/液冷散热，符合RoHS标准，适用于严苛工业环境。配合NXP推荐的匹配电路与驱动方案（如MRF101AN驱动级），可实现低失真、高ACLR性能，满足现代通信系统对能效与线性度的双重要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9205HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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