【未分类_MRFE6S9201HSR5】封装/厂家_MRFE6S9201HSR5中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRFE6S9201HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9201HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9201HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9201HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9201HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9201HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFE6S9201HSR5 是恩智浦（NXP）收购飞思卡尔（Freescale）后继承的高性能射频LDMOS晶体管，非当前Freescale独立品牌产品。该器件为200W、1.8–2.0 GHz频段高效率射频功率MOSFET，采用陶瓷封装（HVSOF-7），支持高结温（225°C）与高可靠性。

主要应用场景包括：  
1. 蜂窝基站功率放大器：广泛用于4G LTE及部分5G Sub-6 GHz宏基站的末级功放（PA），尤其适配1930–1990 MHz（Band 2/25）和1805–1880 MHz（Band 3）等主流频段；  
2. 无线基础设施设备：如分布式基站（RRU）、小型基站（Small Cell）发射链路中的宽带连续波（CW）或OFDM信号放大；  
3. 工业与广播应用：适用于ISM频段（如1900 MHz）的RF加热、等离子体发生器及FM/TV中继发射模块；  
4. 测试与测量系统：作为大功率射频信号源或EMC抗扰度测试中的驱动级放大器。

其高增益（典型17 dB）、高漏极效率（>65% @ 1.96 GHz）及优异线性度（满足ACLR要求），配合内置ESD保护与稳定偏置设计，使其成为通信基础设施中兼顾性能、散热与长期可靠性的关键器件。需搭配匹配网络、高效散热器及负反馈电路以实现最优性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6S9201HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	40W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20.8dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	1.4A
频率	880MHz
额定电流	10µA