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- 型号： MRFE6S9201HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9201HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9201HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9201HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9201HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9201HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9201HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为高功率、高频通信应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射链路：广泛用于 4G LTE 和 5G 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 1.8–2.2 GHz 频段（如 Band 1/3/7/38/40），可单管输出高达 200 W 峰值功率（脉冲或连续波），具备高增益（>18 dB）和高效率（>65% PAE）。 - 宽带无线接入系统：适用于 WiMAX、WCDMA 和多载波 Doherty 架构放大器，支持高 PAR（峰均比）信号（如 8–10 dB），配合数字预失真（DPD）技术实现线性化与能效优化。 - 广播与专业通信设备：可用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）的中高功率电视/电台激励器、应急通信车及军用/航空地基电台的射频功放模块。 该器件采用陶瓷封装（AirCavity），具备优异热稳定性与可靠性，支持高结温（Tj ≤ 200°C）运行，适配大型散热器与风冷/液冷系统。其 RoHS 合规、无铅设计满足工业级长期运行要求。 注：实际应用需严格遵循 NXP 推荐的偏置条件（如 VDD = 28 V 或 32 V）、匹配网络及 ESD/浪涌防护设计，以确保性能与寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9201HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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